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IXFP90N20X3M

IXFP90N20X3M

僅供參考

型號 IXFP90N20X3M
PNEDA編號 IXFP90N20X3M
描述 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFP90N20X3M資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFP90N20X3M
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFP90N20X3M規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs78nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5420pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)36W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220 Isolated Tab
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

138nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 500mA, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.42nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4430pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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22mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

1.51W (Ta)

工作溫度

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