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IXFQ120N25X3

IXFQ120N25X3

僅供參考

型號 IXFQ120N25X3
PNEDA編號 IXFQ120N25X3
描述 MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,900
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFQ120N25X3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFQ120N25X3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFQ120N25X3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs122nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7870pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)520W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

AUIRFSL6535

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Vishay Siliconix

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2070pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.5W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

55pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 80µA

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Vgs(最大)

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-

功耗(最大值)

115W (Tc)

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