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IXFQ94N30P3

IXFQ94N30P3

僅供參考

型號 IXFQ94N30P3
PNEDA編號 IXFQ94N30P3
描述 MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFQ94N30P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFQ94N30P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFQ94N30P3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, Polar3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)94A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs102nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5510pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1040W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

83A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

164nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5736pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 4V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW (Ta)

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115mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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