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IXFR12N100Q

IXFR12N100Q

僅供參考

型號 IXFR12N100Q
PNEDA編號 IXFR12N100Q
描述 MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR12N100Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR12N100Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR12N100Q, IXFR12N100Q數據表 (總頁數: 2, 大小: 154.93 KB)
PDFIXFR10N100Q數據表 封面
IXFR10N100Q數據表 頁面 2

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IXFR12N100Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.1Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

83mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

375pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 176W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 100V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

165pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

2.54W (Tc)

工作溫度

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