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IXFR18N90P

IXFR18N90P

僅供參考

型號 IXFR18N90P
PNEDA編號 IXFR18N90P
描述 MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR18N90P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR18N90P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR18N90P, IXFR18N90P數據表 (總頁數: 4, 大小: 105.25 KB)
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IXFR18N90P數據表 頁面 2 IXFR18N90P數據表 頁面 3 IXFR18N90P數據表 頁面 4

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IXFR18N90P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs660mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs97nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5230pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4299pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

86W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

255W (Tc)

工作溫度

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