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IXFR200N10P

IXFR200N10P

僅供參考

型號 IXFR200N10P
PNEDA編號 IXFR200N10P
描述 MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR200N10P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR200N10P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR200N10P, IXFR200N10P數據表 (總頁數: 5, 大小: 122.96 KB)
PDFIXFR200N10P數據表 封面
IXFR200N10P數據表 頁面 2 IXFR200N10P數據表 頁面 3 IXFR200N10P數據表 頁面 4 IXFR200N10P數據表 頁面 5

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IXFR200N10P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)133A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs235nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.7nC @ 15V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23pF @ 25V

FET功能

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

86W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

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8.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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