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IXFR20N80Q

IXFR20N80Q

僅供參考

型號 IXFR20N80Q
PNEDA編號 IXFR20N80Q
描述 MOSFET N-CH ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR20N80Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR20N80Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFR20N80Q規格

制造商IXYS
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

103nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 57W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2785pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

26W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 128W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3720pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

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