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IXFR24N50Q

IXFR24N50Q

僅供參考

型號 IXFR24N50Q
PNEDA編號 IXFR24N50Q
描述 MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR24N50Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR24N50Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR24N50Q, IXFR24N50Q數據表 (總頁數: 2, 大小: 79.56 KB)
PDFIXFR26N50Q數據表 封面
IXFR26N50Q數據表 頁面 2

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IXFR24N50Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs230mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs95nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2987pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

940mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2612pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

158W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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