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IXFT180N20X3HV

IXFT180N20X3HV

僅供參考

型號 IXFT180N20X3HV
PNEDA編號 IXFT180N20X3HV
描述 200V/180A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFT180N20X3HV資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFT180N20X3HV
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFT180N20X3HV規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs154nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)780W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-268HV
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

660mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

制造商

IXYS

系列

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

334A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

670nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

680W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

550mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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功耗(最大值)

6W (Tc)

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