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IXFT21N50Q

IXFT21N50Q

僅供參考

型號 IXFT21N50Q
PNEDA編號 IXFT21N50Q
描述 MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFT21N50Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFT21N50Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFT21N50Q, IXFT21N50Q數據表 (總頁數: 4, 大小: 562.11 KB)
PDFIXFT21N50Q數據表 封面
IXFT21N50Q數據表 頁面 2 IXFT21N50Q數據表 頁面 3 IXFT21N50Q數據表 頁面 4

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IXFT21N50Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs84nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)280W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-268
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

116nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4476pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

349W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

643pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

560V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 135µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

-

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