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IXFT30N85XHV

IXFT30N85XHV

僅供參考

型號 IXFT30N85XHV
PNEDA編號 IXFT30N85XHV
描述 MOSFET N-CH 850V 30A TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFT30N85XHV資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFT30N85XHV
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFT30N85XHV, IXFT30N85XHV數據表 (總頁數: 6, 大小: 258.29 KB)
PDFIXFT30N85XHV數據表 封面
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IXFT30N85XHV規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)850V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs68nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2460pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)695W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-268 (IXFT)
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

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2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4930pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

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