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IXFV22N60P

IXFV22N60P

僅供參考

型號 IXFV22N60P
PNEDA編號 IXFV22N60P
描述 MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFV22N60P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFV22N60P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFV22N60P, IXFV22N60P數據表 (總頁數: 5, 大小: 295.89 KB)
PDFIXFV22N60PS數據表 封面
IXFV22N60PS數據表 頁面 2 IXFV22N60PS數據表 頁面 3 IXFV22N60PS數據表 頁面 4 IXFV22N60PS數據表 頁面 5

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IXFV22N60P規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs350mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs58nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS220
包裝/箱TO-220-3, Short Tab

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 29.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

550W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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