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IXFV52N30PS

IXFV52N30PS

僅供參考

型號 IXFV52N30PS
PNEDA編號 IXFV52N30PS
描述 MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220-S
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFV52N30PS資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFV52N30PS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFV52N30PS, IXFV52N30PS數據表 (總頁數: 5, 大小: 182.09 KB)
PDFIXFV52N30PS數據表 封面
IXFV52N30PS數據表 頁面 2 IXFV52N30PS數據表 頁面 3 IXFV52N30PS數據表 頁面 4 IXFV52N30PS數據表 頁面 5

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IXFV52N30PS規格

制造商IXYS
系列PolarHT™ HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)52A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs66mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3490pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PLUS-220SMD
包裝/箱PLUS-220SMD

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

87mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

85W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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7.8A (Ta), 45A (Tc)

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