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IXFV96N15P

IXFV96N15P

僅供參考

型號 IXFV96N15P
PNEDA編號 IXFV96N15P
描述 MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFV96N15P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFV96N15P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFV96N15P, IXFV96N15P數據表 (總頁數: 5, 大小: 318.85 KB)
PDFIXFV96N15PS數據表 封面
IXFV96N15PS數據表 頁面 2 IXFV96N15PS數據表 頁面 3 IXFV96N15PS數據表 頁面 4 IXFV96N15PS數據表 頁面 5

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IXFV96N15P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™ HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)96A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS220
包裝/箱TO-220-3, Short Tab

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

138pF @ 50V

FET功能

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功耗(最大值)

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1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

82pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

460W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

102nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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