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IXFX120N30P3

IXFX120N30P3

僅供參考

型號 IXFX120N30P3
PNEDA編號 IXFX120N30P3
描述 MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX120N30P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX120N30P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX120N30P3, IXFX120N30P3數據表 (總頁數: 5, 大小: 127.1 KB)
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IXFX120N30P3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, Polar3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs150nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8630pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1130W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+10V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

580pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 20A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.7V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 15V

Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

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