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IXFX120N65X2

IXFX120N65X2

僅供參考

型號 IXFX120N65X2
PNEDA編號 IXFX120N65X2
描述 MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 18,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX120N65X2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX120N65X2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX120N65X2, IXFX120N65X2數據表 (總頁數: 5, 大小: 199.79 KB)
PDFIXFK120N65X2數據表 封面
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IXFX120N65X2規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs225nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 176W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

54mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

320mW (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

136nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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