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IXFX14N100

IXFX14N100

僅供參考

型號 IXFX14N100
PNEDA編號 IXFX14N100
描述 MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX14N100資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX14N100
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX14N100, IXFX14N100數據表 (總頁數: 4, 大小: 622.25 KB)
PDFIXFX14N100數據表 封面
IXFX14N100數據表 頁面 2 IXFX14N100數據表 頁面 3 IXFX14N100數據表 頁面 4

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IXFX14N100規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs220nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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135V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 96A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

315nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11690pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.2A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 32V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1645pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

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-

功耗(最大值)

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