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IXFX21N100F

IXFX21N100F

僅供參考

型號 IXFX21N100F
PNEDA編號 IXFX21N100F
描述 MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
制造商 IXYS-RF
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX21N100F資源

品牌 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX21N100F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX21N100F, IXFX21N100F數據表 (總頁數: 2, 大小: 95.5 KB)
PDFIXFX21N100F數據表 封面
IXFX21N100F數據表 頁面 2

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IXFX21N100F規格

制造商IXYS-RF
系列HiPerRF™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs500mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs160nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

345nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1390W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 48A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6400pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

780mOhm @ 3.5A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

7V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

475pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

96W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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