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IXFX24N100

IXFX24N100

僅供參考

型號 IXFX24N100
PNEDA編號 IXFX24N100
描述 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX24N100資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX24N100
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX24N100, IXFX24N100數據表 (總頁數: 4, 大小: 133.75 KB)
PDFIXFX24N100數據表 封面
IXFX24N100數據表 頁面 2 IXFX24N100數據表 頁面 3 IXFX24N100數據表 頁面 4

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IXFX24N100規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs390mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs267nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)560W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

53.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.72mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

203nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14100pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

873pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

34V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

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