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IXFX360N10T

IXFX360N10T

僅供參考

型號 IXFX360N10T
PNEDA編號 IXFX360N10T
描述 MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX360N10T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX360N10T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX360N10T, IXFX360N10T數據表 (總頁數: 6, 大小: 182.9 KB)
PDFIXFK360N10T數據表 封面
IXFK360N10T數據表 頁面 2 IXFK360N10T數據表 頁面 3 IXFK360N10T數據表 頁面 4 IXFK360N10T數據表 頁面 5 IXFK360N10T數據表 頁面 6

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IXFX360N10T規格

制造商IXYS
系列GigaMOS™ HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)360A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs525nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds33000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 22.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 125W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1645pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 69A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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380W (Tc)

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