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IXFX66N50Q2

IXFX66N50Q2

僅供參考

型號 IXFX66N50Q2
PNEDA編號 IXFX66N50Q2
描述 MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX66N50Q2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX66N50Q2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX66N50Q2, IXFX66N50Q2數據表 (總頁數: 5, 大小: 582.43 KB)
PDFIXFX66N50Q2數據表 封面
IXFX66N50Q2數據表 頁面 2 IXFX66N50Q2數據表 頁面 3 IXFX66N50Q2數據表 頁面 4 IXFX66N50Q2數據表 頁面 5

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IXFX66N50Q2規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)66A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs200nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9125pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)735W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Ta), 197A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6560pF @ 13V

FET功能

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功耗(最大值)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 15W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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功耗(最大值)

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