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IXGE200N60B

IXGE200N60B

僅供參考

型號 IXGE200N60B
PNEDA編號 IXGE200N60B
描述 IGBT 600V ISOPLUS227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGE200N60B資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGE200N60B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IXGE200N60B, IXGE200N60B數據表 (總頁數: 2, 大小: 521.89 KB)
PDFIXGE200N60B數據表 封面
IXGE200N60B數據表 頁面 2

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IXGE200N60B規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)160A
功率-最大416W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 120A
當前-集電極截止(最大值)200µA
輸入電容(Cies)@ Vce11nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ISOPLUS227™
供應商設備包裝ISOPLUS227™

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

2080W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.65V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

140nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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包裝/箱

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

275A

功率-最大

1136W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

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Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SP6

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

290A

功率-最大

625W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

12.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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SP4

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制造商

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IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

40nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

225W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

900µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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