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IXGH20N120BD1

IXGH20N120BD1

僅供參考

型號 IXGH20N120BD1
PNEDA編號 IXGH20N120BD1
描述 IGBT 1200V 40A 190W TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGH20N120BD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGH20N120BD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGH20N120BD1, IXGH20N120BD1數據表 (總頁數: 5, 大小: 568.45 KB)
PDFIXGH20N120BD1數據表 封面
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IXGH20N120BD1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.4V @ 15V, 20A
功率-最大190W
開關能量2.1mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用72nC
25°C時的Td(開/關)25ns/150ns
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXGH)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

130A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

469W

開關能量

2.56mJ (on), 1.78mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

220nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/410ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

92A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

130µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/99ns

測試條件

480V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 40A

功率-最大

283W

開關能量

456µJ (on), 411µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

226nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/208ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 12A

功率-最大

140W

開關能量

75µJ (on), 225µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/83ns

測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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