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IXGH30N60C3

IXGH30N60C3

僅供參考

型號 IXGH30N60C3
PNEDA編號 IXGH30N60C3
描述 IGBT 600V 60A 220W TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGH30N60C3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGH30N60C3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGH30N60C3, IXGH30N60C3數據表 (總頁數: 6, 大小: 275.05 KB)
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IXGH30N60C3規格

制造商IXYS
系列GenX3™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 20A
功率-最大220W
開關能量270µJ (on), 90µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用38nC
25°C時的Td(開/關)16ns/42ns
測試條件300V, 20A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXGH)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

92A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

160µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.8V @ 15V, 15A

功率-最大

200W

開關能量

1.05mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

86nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/150ns

測試條件

960V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 75A

功率-最大

428W

開關能量

3mJ (on), 1.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

470nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/265ns

測試條件

400V, 75A, 5.2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

190ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

制造商

IXYS

系列

BIMOSFET™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

430A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 20A

功率-最大

417W

開關能量

23mJ (on), 2.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/370ns

測試條件

1500V, 20A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

864ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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