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IXGK82N120B3

IXGK82N120B3

僅供參考

型號 IXGK82N120B3
PNEDA編號 IXGK82N120B3
描述 IGBT 1200V 230A 1250W TO264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGK82N120B3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGK82N120B3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGK82N120B3, IXGK82N120B3數據表 (總頁數: 6, 大小: 220.14 KB)
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IXGK82N120B3規格

制造商IXYS
系列GenX3™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)230A
電流-集電極脈沖(Icm)500A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 82A
功率-最大1250W
開關能量5mJ (on), 3.3mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用350nC
25°C時的Td(開/關)30ns/210ns
測試條件600V, 80A, 2Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264 (IXGK)

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

245A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

功率-最大

960W

開關能量

11mJ (on), 9.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

540nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/615ns

測試條件

800V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3 Variant

供應商設備包裝

-

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

38A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 21A

功率-最大

200W

開關能量

10.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

155nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/270ns

測試條件

1360V, 21A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

230ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ISOPLUS247™

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制造商

Rohm Semiconductor

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

460V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.0V @ 5V, 10A

功率-最大

107W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

14nC

25°C時的Td(開/關)

500ns/4µs

測試條件

300V, 8A, 100Ohm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 3A

功率-最大

56W

開關能量

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

6.7ns/46ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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