IXGM30N60
僅供參考
| 型號 | IXGM30N60 |
| PNEDA編號 | IXGM30N60 |
| 描述 | POWER MOSFET TO-3 |
| 制造商 | IXYS |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,722 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸) |
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IXGM30N60資源
| 品牌 | IXYS |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | IXGM30N60 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-單 |
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IXGM30N60規格
| 制造商 | IXYS |
| 系列 | - |
| IGBT類型 | - |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 600V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 50A |
| 電流-集電極脈沖（Icm） | 100A |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| 功率-最大 | 200W |
| 開關能量 | - |
| 輸入類型 | Standard |
| 門禁費用 | 180nC |
| 25°C時的Td（開/關） | 100ns/500ns |
| 測試條件 | - |
| 反向恢復時間（trr） | 200ns |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | TO-204AE |
| 供應商設備包裝 | TO-204AE |
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