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IXGM30N60

IXGM30N60

僅供參考

型號 IXGM30N60
PNEDA編號 IXGM30N60
描述 POWER MOSFET TO-3
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGM30N60資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGM30N60
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IXGM30N60規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 30A
功率-最大200W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用180nC
25°C時的Td(開/關)100ns/500ns
測試條件-
反向恢復時間(trr)200ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AE
供應商設備包裝TO-204AE

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

208W

開關能量

550µJ (on), 680µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/137ns

測試條件

480V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

55ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

234W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

79nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/120ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

17A

電流-集電極脈沖(Icm)

34A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 16A

功率-最大

45W

開關能量

600µJ (on), 580µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

67nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/160ns

測試條件

480V, 16A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

67A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 40A

功率-最大

246W

開關能量

1.06mJ (on), 610µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

177nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/222ns

測試條件

400V, 40A, 10.1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

87ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

455W

開關能量

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

輸入類型

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門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/200ns

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反向恢復時間(trr)

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