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IXGQ150N30TCD1

IXGQ150N30TCD1

僅供參考

型號 IXGQ150N30TCD1
PNEDA編號 IXGQ150N30TCD1
描述 IGBT 300V 150A TO3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGQ150N30TCD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGQ150N30TCD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IXGQ150N30TCD1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

功率-最大

89W

開關能量

1.18mJ (on), 960µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

141nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/180ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3PFM, SC-93-3

供應商設備包裝

TO-3PFM

IRGP4740D-EPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

72A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 24A

功率-最大

250W

開關能量

520µJ (on), 240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/73ns

測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

170ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

43A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

174W

開關能量

215µJ (on), 245µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/80ns

測試條件

400V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/130ns

測試條件

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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