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IXGT20N100

IXGT20N100

僅供參考

型號 IXGT20N100
PNEDA編號 IXGT20N100
描述 IGBT 1000V 40A 150W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGT20N100資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGT20N100
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGT20N100, IXGT20N100數據表 (總頁數: 2, 大小: 53.42 KB)
PDFIXGT20N100數據表 封面
IXGT20N100數據表 頁面 2

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IXGT20N100規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1000V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 20A
功率-最大150W
開關能量3.5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用73nC
25°C時的Td(開/關)30ns/350ns
測試條件800V, 20A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 50A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/134ns

測試條件

180V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 5V, 14A

功率-最大

100W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

22nC

25°C時的Td(開/關)

900ns/4.4µs

測試條件

300V, 46Ohm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 75A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

480nC

25°C時的Td(開/關)

80ns/210ns

測試條件

600V, 75A, 1.5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

229A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 100A

功率-最大

625W

開關能量

4.75mJ (on), 2.675mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

600nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/310ns

測試條件

400V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 47A

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230nC

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400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

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-

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