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IXSH15N120BD1

IXSH15N120BD1

僅供參考

型號 IXSH15N120BD1
PNEDA編號 IXSH15N120BD1
描述 IGBT 1200V 30A 150W TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 25 - 四月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXSH15N120BD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXSH15N120BD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXSH15N120BD1, IXSH15N120BD1數據表 (總頁數: 2, 大小: 56.54 KB)
PDFIXST15N120BD1數據表 封面
IXST15N120BD1數據表 頁面 2

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IXSH15N120BD1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電流-集電極脈沖(Icm)60A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.4V @ 15V, 15A
功率-最大150W
開關能量1.5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用57nC
25°C時的Td(開/關)30ns/148ns
測試條件960V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)30ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXSH)

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-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

22A

電流-集電極脈沖(Icm)

44A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

66W

開關能量

190µJ (on), 920µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/194ns

測試條件

480V, 12A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-Pak

IRG4BC10SD-S

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 8A

功率-最大

38W

開關能量

310µJ (on), 3.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

76ns/815ns

測試條件

480V, 8A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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32A

電流-集電極脈沖(Icm)

36A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 12A

功率-最大

140W

開關能量

185µJ (on), 355µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/83ns

測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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