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IXSH20N60B2D1

IXSH20N60B2D1

僅供參考

型號 IXSH20N60B2D1
PNEDA編號 IXSH20N60B2D1
描述 IGBT 600V 35A 190W TO247
制造商 IXYS
單價
1 ---------- $42.5170
100 ---------- $40.5240
250 ---------- $38.5310
500 ---------- $36.5380
750 ---------- $34.8772
1,000 ---------- $33.2164
庫存 39,432
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXSH20N60B2D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXSH20N60B2D1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXSH20N60B2D1, IXSH20N60B2D1數據表 (總頁數: 6, 大小: 592.73 KB)
PDFIXSQ20N60B2D1數據表 封面
IXSQ20N60B2D1數據表 頁面 2 IXSQ20N60B2D1數據表 頁面 3 IXSQ20N60B2D1數據表 頁面 4 IXSQ20N60B2D1數據表 頁面 5 IXSQ20N60B2D1數據表 頁面 6

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IXSH20N60B2D1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)35A
電流-集電極脈沖(Icm)60A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 16A
功率-最大190W
開關能量380µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用33nC
25°C時的Td(開/關)30ns/116ns
測試條件480V, 16A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)30ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXSH)

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IXYS

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/450ns

測試條件

480V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

229A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 100A

功率-最大

625W

開關能量

4.75mJ (on), 2.675mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

600nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/310ns

測試條件

400V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

STMicroelectronics

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

16A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 4A

功率-最大

68W

開關能量

40µJ (on), 136µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15.2nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/86ns

測試條件

400V, 4A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

133ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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APT15GT120BRDQ1G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

36A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 15A

功率-最大

250W

開關能量

585µJ (on), 260µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

105nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/85ns

測試條件

800V, 15A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

144A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 48A

功率-最大

330W

開關能量

625µJ (on), 1.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/145ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

115ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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