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IXSH35N120B

IXSH35N120B

僅供參考

型號 IXSH35N120B
PNEDA編號 IXSH35N120B
描述 IGBT 1200V 70A 300W TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXSH35N120B資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXSH35N120B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXSH35N120B, IXSH35N120B數據表 (總頁數: 2, 大小: 82.37 KB)
PDFIXST35N120B數據表 封面
IXST35N120B數據表 頁面 2

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IXSH35N120B規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)140A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.6V @ 15V, 35A
功率-最大300W
開關能量5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)36ns/160ns
測試條件960V, 35A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXSH)

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制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 40A

功率-最大

380W

開關能量

4.5mJ (on), 3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

138nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/290ns

測試條件

960V, 40A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

TO-268

FGA70N33BTDTU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 70A

功率-最大

149W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

49nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

23ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

RGW80TK65GVC11

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

39A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 40A

功率-最大

81W

開關能量

760µJ (on), 720µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

44ns/143ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3PFM, SC-93-3

供應商設備包裝

TO-3PFM

IRG7PK35UD1PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 20A

功率-最大

167W

開關能量

650µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

98nC

25°C時的Td(開/關)

-/150ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 20A

功率-最大

290W

開關能量

115µJ (on), 195µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/35ns

測試條件

390V, 20A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

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包裝/箱

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