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IXSH35N120B

IXSH35N120B

僅供參考

型號 IXSH35N120B
PNEDA編號 IXSH35N120B
描述 IGBT 1200V 70A 300W TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXSH35N120B資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXSH35N120B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXSH35N120B, IXSH35N120B數據表 (總頁數: 2, 大小: 82.37 KB)
PDFIXST35N120B數據表 封面
IXST35N120B數據表 頁面 2

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IXSH35N120B規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)140A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.6V @ 15V, 35A
功率-最大300W
開關能量5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)36ns/160ns
測試條件960V, 35A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXSH)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 70A

功率-最大

149W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

49nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

23ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

275W

開關能量

1.5mJ (on), 500µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/172ns

測試條件

400V, 50A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

81ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

340A

電流-集電極脈沖(Icm)

900A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

功率-最大

1630W

開關能量

3mJ (on), 1.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

315nC

25°C時的Td(開/關)

47ns/125ns

測試條件

360V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 25A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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