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IXST15N120BD1

IXST15N120BD1

僅供參考

型號 IXST15N120BD1
PNEDA編號 IXST15N120BD1
描述 IGBT 1200V 30A 150W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXST15N120BD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXST15N120BD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXST15N120BD1, IXST15N120BD1數據表 (總頁數: 2, 大小: 56.54 KB)
PDFIXST15N120BD1數據表 封面
IXST15N120BD1數據表 頁面 2

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IXST15N120BD1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電流-集電極脈沖(Icm)60A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.4V @ 15V, 15A
功率-最大150W
開關能量1.5mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用57nC
25°C時的Td(開/關)30ns/148ns
測試條件960V, 15A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)30ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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當前-集電極(Ic)(最大值)

9.4A

電流-集電極脈沖(Icm)

19A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 4A

功率-最大

50W

開關能量

131µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/237ns

測試條件

400V, 4A, 67Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

180ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 40A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

215nC

25°C時的Td(開/關)

-/186ns

測試條件

400V, 40A, 5.6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

143ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

200W

開關能量

305µJ (on), 181µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

102nC

25°C時的Td(開/關)

29.5ns/118ns

測試條件

390V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 20A

功率-最大

100W

開關能量

160µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

97nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/65ns

測試條件

300V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

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安裝類型

Through Hole

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