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IXT-1-1N100S1

IXT-1-1N100S1

僅供參考

型號 IXT-1-1N100S1
PNEDA編號 IXT-1-1N100S1
描述 MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
制造商 IXYS
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庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXT-1-1N100S1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXT-1-1N100S1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXT-1-1N100S1規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

528pF @ 12.8V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

580pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

1W (Ta)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 1.5A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

650mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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