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IXTA110N055T7

IXTA110N055T7

僅供參考

型號 IXTA110N055T7
PNEDA編號 IXTA110N055T7
描述 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA110N055T7資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA110N055T7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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PDFIXTA110N055T7數據表 封面
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IXTA110N055T7規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs67nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3080pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)230W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263-7 (IXTA..7)
包裝/箱TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.9mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 250mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

126nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4427pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

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