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IXTA32P05T

IXTA32P05T

僅供參考

型號 IXTA32P05T
PNEDA編號 IXTA32P05T
描述 MOSFET P-CH 50V 32A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA32P05T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA32P05T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTA32P05T規格

制造商IXYS
系列TrenchP™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)32A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs46nC @ 10V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1975pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXTA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

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技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

368mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

778pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A (Ta), 50.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2343pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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±20V

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功耗(最大值)

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