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IXTA3N150HV

IXTA3N150HV

僅供參考

型號 IXTA3N150HV
PNEDA編號 IXTA3N150HV
描述 MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA3N150HV資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA3N150HV
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTA3N150HV規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38.6nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1375pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

400A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 106.8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1570W (Tc)

工作溫度

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

225mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

399mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

545pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

28W (Tc)

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