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IXTA5N60P

IXTA5N60P

僅供參考

型號 IXTA5N60P
PNEDA編號 IXTA5N60P
描述 MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA5N60P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA5N60P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTA5N60P, IXTA5N60P數據表 (總頁數: 4, 大小: 690.73 KB)
PDFIXTA5N60P數據表 封面
IXTA5N60P數據表 頁面 2 IXTA5N60P數據表 頁面 3 IXTA5N60P數據表 頁面 4

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IXTA5N60P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.2nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXTA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

560mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 10V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

225mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

996pF @ 400V

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功耗(最大值)

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