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IXTA74N15T

IXTA74N15T

僅供參考

型號 IXTA74N15T
PNEDA編號 IXTA74N15T
描述 MOSFET N-CH 150V 74A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA74N15T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA74N15T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTA74N15T規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)74A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXTA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

965pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 210µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5137pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

760mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.25V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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-

功耗(最大值)

29W (Tc)

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