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IXTA76P10T

IXTA76P10T

僅供參考

型號 IXTA76P10T
PNEDA編號 IXTA76P10T
描述 MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA76P10T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA76P10T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTA76P10T規格

制造商IXYS
系列TrenchP™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)76A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs197nC @ 10V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)298W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXTA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

190mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 150mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

830mW (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1725pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

47W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

386pF @ 15V

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