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IXTH130N15T

IXTH130N15T

僅供參考

型號 IXTH130N15T
PNEDA編號 IXTH130N15T
描述 MOSFET N-CH 150V 130A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 30 - 二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH130N15T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH130N15T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH130N15T, IXTH130N15T數據表 (總頁數: 5, 大小: 148.58 KB)
PDFIXTH130N15T數據表 封面
IXTH130N15T數據表 頁面 2 IXTH130N15T數據表 頁面 3 IXTH130N15T數據表 頁面 4 IXTH130N15T數據表 頁面 5

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IXTH130N15T規格

制造商IXYS
系列TrenchHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)130A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 65A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs113nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)750W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6290pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

643pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

62W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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