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IXTH16N50D2

IXTH16N50D2

僅供參考

型號 IXTH16N50D2
PNEDA編號 IXTH16N50D2
描述 MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH16N50D2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH16N50D2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH16N50D2, IXTH16N50D2數據表 (總頁數: 5, 大小: 152.74 KB)
PDFIXTT16N50D2數據表 封面
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IXTH16N50D2規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)0V
Rds On(Max)@ Id,Vgs240mOhm @ 8A, 0V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs199nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5250pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)695W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 20A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113nC @ 15V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2735pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.12W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF634

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MESH OVERLAY™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

955pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220

包裝/箱

TO-220-3

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制造商

STMicroelectronics

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13800pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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