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IXTH16P20

IXTH16P20

僅供參考

型號 IXTH16P20
PNEDA編號 IXTH16P20
描述 MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH16P20資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH16P20
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH16P20, IXTH16P20數據表 (總頁數: 2, 大小: 43.74 KB)
PDFIXTH16P20數據表 封面
IXTH16P20數據表 頁面 2

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IXTH16P20規格

制造商IXYS
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs95nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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ON Semiconductor

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-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Ta), 133A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK4 (5x6)

包裝/箱

-

2N7002WKX-13

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-323

包裝/箱

SC-70, SOT-323

制造商

IXYS

系列

Polar™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

305nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

890W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

264nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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功耗(最大值)

98.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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