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IXTH20N65X

IXTH20N65X

僅供參考

型號 IXTH20N65X
PNEDA編號 IXTH20N65X
描述 MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 26 - 三月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH20N65X資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH20N65X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH20N65X, IXTH20N65X數據表 (總頁數: 6, 大小: 231.05 KB)
PDFIXTA20N65X數據表 封面
IXTA20N65X數據表 頁面 2 IXTA20N65X數據表 頁面 3 IXTA20N65X數據表 頁面 4 IXTA20N65X數據表 頁面 5 IXTA20N65X數據表 頁面 6

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IXTH20N65X規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs210mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1390pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)320W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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32A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 25A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+10V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3420pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta)

工作溫度

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 17A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

290W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

395pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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