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IXTH6N50D2

IXTH6N50D2

僅供參考

型號 IXTH6N50D2
PNEDA編號 IXTH6N50D2
描述 MOSFET N-CH 500V 6A TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH6N50D2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH6N50D2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH6N50D2, IXTH6N50D2數據表 (總頁數: 5, 大小: 186.2 KB)
PDFIXTH6N50D2數據表 封面
IXTH6N50D2數據表 頁面 2 IXTH6N50D2數據表 頁面 3 IXTH6N50D2數據表 頁面 4 IXTH6N50D2數據表 頁面 5

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IXTH6N50D2規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs500mOhm @ 3A, 0V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs96nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2800pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

16V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

HEXFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

161nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5193pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

163W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

900mW (Ta), 86.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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