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IXTH90N15T

IXTH90N15T

僅供參考

型號 IXTH90N15T
PNEDA編號 IXTH90N15T
描述 MOSFET N-CH 150V 90A TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH90N15T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH90N15T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH90N15T, IXTH90N15T數據表 (總頁數: 6, 大小: 193.08 KB)
PDFIXTH90N15T數據表 封面
IXTH90N15T數據表 頁面 2 IXTH90N15T數據表 頁面 3 IXTH90N15T數據表 頁面 4 IXTH90N15T數據表 頁面 5 IXTH90N15T數據表 頁面 6

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IXTH90N15T規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs80nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)455W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 45W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

155W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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