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IXTK250N10

IXTK250N10

僅供參考

型號 IXTK250N10
PNEDA編號 IXTK250N10
描述 MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTK250N10資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTK250N10
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTK250N10, IXTK250N10數據表 (總頁數: 4, 大小: 560.12 KB)
PDFIXTK250N10數據表 封面
IXTK250N10數據表 頁面 2 IXTK250N10數據表 頁面 3 IXTK250N10數據表 頁面 4

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IXTK250N10規格

制造商IXYS
系列MegaMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs430nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)730W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264 (IXTK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

930mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.87nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1740pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 21W (Tc)

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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MOSFET (Metal Oxide)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5040pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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