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IXTK40P50P

IXTK40P50P

僅供參考

型號 IXTK40P50P
PNEDA編號 IXTK40P50P
描述 MOSFET P-CH 500V 40A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 16,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTK40P50P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTK40P50P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTK40P50P, IXTK40P50P數據表 (總頁數: 5, 大小: 116.98 KB)
PDFIXTX40P50P數據表 封面
IXTX40P50P數據表 頁面 2 IXTX40P50P數據表 頁面 3 IXTX40P50P數據表 頁面 4 IXTX40P50P數據表 頁面 5

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IXTK40P50P規格

制造商IXYS
系列PolarP™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs230mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs205nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)890W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264 (IXTK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.87mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

109nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7668pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

291W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

460nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

415pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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