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IXTK90P20P

IXTK90P20P

僅供參考

型號 IXTK90P20P
PNEDA編號 IXTK90P20P
描述 MOSFET P-CH 200V 90A TO-264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTK90P20P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTK90P20P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTK90P20P, IXTK90P20P數據表 (總頁數: 5, 大小: 119.27 KB)
PDFIXTX90P20P數據表 封面
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IXTK90P20P規格

制造商IXYS
系列PolarP™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs44mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs205nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)890W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264 (IXTK)
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1877pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 57A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1180pF @ 40V

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-

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

175nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 25V

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130W (Tc)

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