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IXTL2X180N10T

IXTL2X180N10T

僅供參考

型號 IXTL2X180N10T
PNEDA編號 IXTL2X180N10T
描述 MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTL2X180N10T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTL2X180N10T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IXTL2X180N10T, IXTL2X180N10T數據表 (總頁數: 2, 大小: 113.96 KB)
PDFIXTL2X180N10T數據表 封面
IXTL2X180N10T數據表 頁面 2

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IXTL2X180N10T規格

制造商IXYS
系列Trench™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs151nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6900pF @ 25V
功率-最大150W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱ISOPLUSi5-Pak™
供應商設備包裝ISOPLUSi5-Pak™

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.8nC @ 8V

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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16nC @ 10V

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7.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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