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IXTM21N50L

IXTM21N50L

僅供參考

型號 IXTM21N50L
PNEDA編號 IXTM21N50L
描述 POWER MOSFET TO-3
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTM21N50L資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTM21N50L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTM21N50L規格

制造商IXYS
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

214W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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450V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.25Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

211pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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